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本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法，包括柔性基板，形成于柔性基板表面的金刚石衬底；沉积于金刚石衬底表面的AlN层；形成于金刚石衬底表面位于AlN层一端的阳极金属层；形成于AlN层...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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