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本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：堆叠设置的第一半导体层、第一介质层、第二介质层、第三介质层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间通过所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层隔离开，所述第...
该专利属于湖北江城芯片中试服务有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北江城芯片中试服务有限公司授权不得商用。

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