【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，包括但不限于一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体产业的技术发展，单位面积上的器件密度越来越高，器件的尺寸不断微缩，由此不可避免地带来各种问题。其中，绝缘衬底上的硅(silicon-on-insulator，soi)技术由于其具有抗干扰和漏电小等优异性能而受到广泛关注。然而，soi技术中半导体器件存在自热效应，即，半导体器件工作时沟道电流产生热量造成半导体器件内部温度升高，导致半导体器件的特性退变。自热效应不仅会对半导体器件工作的稳定性和可靠性产生影响，还会导致热制程的均一性较差，成为制约半导体技术发展的重要因素。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。
2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：堆叠设置的第一半导体层、第一介质层、第二介质层、第三介质层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间通过所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层隔离开，所述第二半导体层用...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的导热系数小于所述第一介质层的导热系数，且所述第二介质层的导热系数小于所述第三介质层的导热系数；
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体层沿所述堆叠方向的尺寸小于所述第一半导体层沿所述堆叠方向的尺寸；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层包括堆叠设置的第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设于所述第一介质层和所述第二子介质层之间；
5.根据权利要求4所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的导热系数小于所述第一介质层的导热系数，且所述第二介质层的导热系数小于所述第三介质层的导热系数；
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体层沿所述堆叠方向的尺寸小于所述第一半导体层沿所述堆叠方向的尺寸；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层包括堆叠设置的第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设于所述第一介质层和所述第二子介质层之间；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子介质层和所述第二子介质层之间具有第一接触界面，所述第一子导电结构和所述第二子导电结构之间具有第二接...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖冲，康世林，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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