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本申请提供一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括多个阵列区块，每个阵列区块包括多条第一地址线和多条第二地址线，第一地址线沿第一方向延伸，第二地址线沿第二方向延伸，且第一地址线和第二地址线异面交叉，第一地址线在第一方向上具有第一尺寸，第...
该专利属于新存科技（武汉）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过新存科技（武汉）有限责任公司授权不得商用。

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