半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括多个阵列区块，每个阵列区块包括多条第一地址线和多条第二地址线，第一地址线沿第一方向延伸，第二地址线沿第二方向延伸，且第一地址线和第二地址线异面交叉，第一地址线在第一方向上具有第一尺寸，第二地址线在第二方向上具有第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸的二分之一。本申请实施例中阵列区块的设计拉长了第一地址线延伸方向的长度，增大了阵列区块的面积。由于没有增加第一地址线的数量，因而不需要增加控制第一地址线电路的数量，相当于整个阵列区块采用更少的第一地址线控制电路来控制更大的阵列区块，因此可以空出更多其他电路的设计面积，进一步优化存储器整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件。

技术介绍

1、为解决存储器小型化和三维堆叠面临的极限挑战,非易失性存储器技术中的仅选择存储器(selector only memory，som)受到国内外研究人员的广泛关注，其存储单元仅由一个选择器组成，兼具存储器和选择器。

2、目前仅选择存储器的研究主要是基于交叉点阵(cross-point)的三维堆叠架构，基于此研究设计的阵列区块中，电路的布局空间受到限制从而影响存储器的整体性能。

3、因此，如何增大阵列区块中的电路设计面积是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体器件，可以增大阵列区块中电路设计面积。

2、本申请提供一种半导体器件，包括：多个阵列区块，每个所述阵列区块包括多条第一地址线和多条第二地址线，所述第一地址线沿第一方向延伸，所述第二地址线沿第二方向延伸，且所述第一地址线和所述第二地址线异面交叉，所述第一地址线在所述第一方向上具有第一尺寸，所述第二地址线在第二方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述阵列区块包括沿所述第二方向排布的阵列核心区和第一过孔区，所述第一地址线和所述第二地址线交叉的区域形成所述阵列核心区，所述第二地址线跨越所述阵列核心区和所述第一过孔区；

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列核心区的面积与所述阵列区块的面积的比值为65.4％～71.1％。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列区块沿所述第二方向的尺寸为230微米～240微米，所述阵列区块沿所述第一方向的尺寸为170微米～190微米。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述阵列区块包括沿所述第二方向排布的阵列核心区和第一过孔区，所述第一地址线和所述第二地址线交叉的区域形成所述阵列核心区，所述第二地址线跨越所述阵列核心区和所述第一过孔区；

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列核心区的面积与所述阵列区块的面积的比值为65.4％～71.1％。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列区块沿所述第二方向的尺寸为230微米～240微米，所述阵列区块沿所述第一方向的尺寸为170微米～190微米。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列区块包括两个所述阵列核心区和一个所述第一过孔区，沿所述第二方向，所述第一过孔区位于两个所述阵列核心区之间；所述阵列核心区沿所述第一方向上的尺寸大于沿所述第二方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国强，张恒，雷威锋，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：