温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种磷化铟多晶高压合成炉,涉及半导体材料技术领域,包括炉体,炉体内设置有石英管,石英管内的一端设置有用于盛放红磷的第一石英舟,石英管内的另一端设置有用于盛放铟的第二石英舟,第一石英舟与第二石英舟之间的石英管内设置有反应过渡器,反应过渡器包括...该专利属于大庆溢泰半导体材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过大庆溢泰半导体材料有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种磷化铟多晶高压合成炉,涉及半导体材料技术领域,包括炉体,炉体内设置有石英管,石英管内的一端设置有用于盛放红磷的第一石英舟,石英管内的另一端设置有用于盛放铟的第二石英舟,第一石英舟与第二石英舟之间的石英管内设置有反应过渡器,反应过渡器包括...