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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成栅极结构之前，先通过离子注入在栅极形成区域的底部形成底部栅氧层，底部栅氧层能够保护栅介质层，避免栅介质层因底部电场集中而被击穿，从而可以不必通过形成深P阱屏蔽区域来对栅介质层进行保护，如此，一方面...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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