半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，在形成栅极结构之前，先通过离子注入在栅极形成区域的底部形成底部栅氧层，底部栅氧层能够保护栅介质层，避免栅介质层因底部电场集中而被击穿，从而可以不必通过形成深P阱屏蔽区域来对栅介质层进行保护，如此，一方面可以缩小器件尺寸，另一方面可以减少离子注入步骤，降低离子注入难度，同时也可以降低设备成本，提升工艺效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、平面mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)停留在3um左右的线宽(picth)，其导通电阻(rsp)约达到极限值2.4mohm×cm2，便再也无法微缩尺寸。因此，各大厂商便陆续开展沟槽型mosfet开发，如此便可通过不断缩减线宽，实现性能的提升和器件的迭代，因此深p阱沟槽型mosfet应运而生。

2、图1所示，为现有的一种深p阱沟槽型mosfet的结构示意图。当沟槽型mosfet处于阻断状态下时，栅极沟槽底部暴露在漂移区中的高电场区域，使得栅介质层位于栅极沟槽底部的部分承受高强度电场，容易发生绝缘性能退化甚至提前击穿，降低器件长期工作的稳定性和寿命，因此，如图1中所示，深p阱沟槽型mosfet中，会在栅极沟槽两侧形成深p阱屏蔽区域，通过该深p阱屏蔽区域来减小栅极底部高强度电场对栅介质层的影响。

3、现有深p阱沟槽型mosfet存在如下优点：

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【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述反应离子包括硅离子。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为1300℃～1350℃，退火时间为1h～4h。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧离子的注入剂量为3.0E17 cm-2～2.0E18 cm-2，所述硅离子的注入剂量为1.5E17cm-2～1.0E18cm-2。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述底部栅氧层的厚度大于500埃。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述反应离子包括硅离子。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为1300℃～1350℃，退火时间为1h～4h。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧离子的注入剂量为3.0e17 cm-2～2.0e18 cm-2，所述硅离子的注入剂量为1.5e17cm-2～1.0e18cm-2。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述底部栅氧层的厚度大于5...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪旭东，谢志平，王珏，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：