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本申请涉及一种保护环结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、半导体器件以及第一介质层，所述半导体器件基于所述半导体衬底加工形成，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述半导体器件；刻蚀所述第一介质层以及所述半导体衬底，形成第...
该专利属于江苏卓胜微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓胜微电子股份有限公司授权不得商用。

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