保护环结构的制备方法技术

本申请涉及一种保护环结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、半导体器件以及第一介质层，所述半导体器件基于所述半导体衬底加工形成，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述半导体器件；刻蚀所述第一介质层以及所述半导体衬底，形成第一保护环通孔；于所述第一介质层上表面以及所述第一保护环通孔内形成可流动掩膜层；于所述可流动掩膜层表面形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层以及可流动掩膜层进行图形化处理，形成图形化掩膜层；基于所述图形化掩膜层，刻蚀所述第一介质层，形成延伸至所述半导体器件的接触孔。本申请既对第一保护环通孔进行有效保护，又保证接触孔图形具有足够高的刻蚀图形精度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种保护环结构的制备方法。

技术介绍

1、保护环(seal ring)结构是在内部芯片和划片道中间添加的一圈保护环，具有防止器件背栅效应和尖端放电效应等导致器件失效的作用，同时能够防止后续芯片切割工艺带来的水汽侵蚀和物理损伤。

2、保护环结构制备过程中，首先形成一种延伸至衬底内的通孔(btv)。在上述btv制作形成之后，通常还要进行接触结构制作工艺。在进行接触结构制作工艺过程中，需要首先刻蚀形成接触孔。

3、传统技术中，在接触孔的刻蚀过程中难以既对btv进行有效保护，又保证具有足够高的刻蚀图形精度。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的难以既对btv进行有效保护，又保证具有足够高的刻蚀图形精度的问题提供一种保护环结构及其制备方法。

2、一种保护环结构的制备方法，包括：

3、提供基底，所述基底包括半导体衬底、半导体器件以及第一介质层，所述半导体器件基于所述半导体衬底加工形成，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保护环结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述可流动掩膜层的材料为非掺杂硅的有机聚合物，所述硬掩膜层的材料为无机物。

3.根据权利要求2所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，于所述可流动掩膜层表面形成硬掩膜层，包括：

4.根据权利要求3所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括氧化硅，所述有机聚合物的碳化温度为240℃-260℃，于低于预设温度的条件下，形成所述硬掩膜层，包括：

5.根据权利要求3所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述于预设温度条件下，形...

【技术特征摘要】

1.一种保护环结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述可流动掩膜层的材料为非掺杂硅的有机聚合物，所述硬掩膜层的材料为无机物。

3.根据权利要求2所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，于所述可流动掩膜层表面形成硬掩膜层，包括：

4.根据权利要求3所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括氧化硅，所述有机聚合物的碳化温度为240℃-260℃，于低于预设温度的条件下，形成所述硬掩膜层，包括：

5.根据权利要求3所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述于预设温度条件下，形成所述硬掩膜层之后，还包括：

6.根据权利要求1或2所述的保护环结构的制备方法，其特征在于，所述可流动...

【专利技术属性】
技术研发人员：高科，付超群，施文强，陈弼猛，姚磐，张京晶，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：