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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层及第一和二假栅结构的半导体结构，半导体层包括位于半导体层上表层的第一和二阱区，第一阱区的上表层形成有位于第一假栅结构相对两侧的第一源和漏结构，第二阱...
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