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本公开涉及一种具有混合阈值电压晶体管的面积有效的全耗尽型绝缘体上半导体结构。公开了一种全耗尽型绝缘体上半导体结构，其包括：位于衬底中且在P型和N阱阱区下方的掩埋N阱；位于衬底上的绝缘体层，以及位于绝缘体层上且在阱区中的至少一个上方的混合阈值...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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