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本发明属于驱动电路改良技术领域，具体涉及一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑，电路包括输入端接口V<subgt;in</subgt;、驱动电路电源V<subgt;cc</subgt;和V&l...
该专利属于江苏广识电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏广识电气股份有限公司授权不得商用。

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