一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑制造技术

本发明专利技术属于驱动电路改良技术领域，具体涉及一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑，电路包括输入端接口V<subgt;in</subgt;、驱动电路电源V<subgt;cc</subgt;和V<subgt;ee</subgt;、偏置电路(R<subgt;1</subgt;‑R<subgt;2</subgt;，D<subgt;1</subgt;‑D<subgt;4</subgt;，Q<subgt;1</subgt;‑Q<subgt;4</subgt;)、阻容延迟网络(R<subgt;3</subgt;，R<subgt;4</subgt;，R<subgt;5</subgt;，C<subgt;1</subgt;，C<subgt;2</subgt;)、谐振电路(L<subgt;f</subgt;，L<subgt;r</subgt;，L<subgt;s</subgt;，C<subgt;s</subgt;，C<subgt;f</subgt;)、二极管钳位电路(D<subgt;1</subgt;，D<subgt;3</subgt;)、栅极驱动部分(R<subgt;g</subgt;，C<subgt;iss</subgt;，S<subgt;1</subgt;)；本发明专利技术通过新型高次谐波多谐振栅极驱动拓扑将栅极源电压箝位到两个不相等的电压水平，有效降低了栅极驱动器的整体功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于驱动电路改良，具体涉及一种用于sic mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑。

技术介绍

1、作为第三代功率半导体器件，sic mosfet具有耐高温、耐高压、开关速度快、开关损耗小等优势，关于sic mosfet的研究和应用越来越多，用sic mosfet代替sic igbt能够减小开关损耗同时增大开关频率，进而提高电力电子设备整个系统的功率密度。而驱动电路对于开关器件的应用非常关键，由于sic mosfet特性与常用硅基器件有差异，因此有必要对sic mosfet的驱动电路进行研究，包括其中非常重要的短路保护功能。另外在快速开关过程中易出现振荡问题，这对sic mosfet的安全应用非常重要，需要进行研究和分析。

2、碳化硅(sic)材料与硅(si)材料相比，具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、饱和漂移速度快以及导热率高等特性。sic基可达到比si基更高的耐压值和更高的工作结温；高电子迁移率的特点也使其具有更高的开关速度；sic基器件具有更低的导通电阻及高温稳定特性。因此sic基器件广泛应用于高频及高温环境中，有利于降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑，其特征在于，包括输入端接口Vin、驱动电路电源Vcc和Vee、偏置电路(R1-R2，D1-D4，Q1-Q4)、阻容延迟网络(R3，R4，R5，C1，C2)、谐振电路(Lf，Lr，Ls，Cs，Cf)、二极管钳位电路(D1，D3)、栅极驱动部分(Rg，Ciss，S1)；

2.根据权利要求1所述的一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑结构，其特征在于，所述的支路二极管D1-D4均为快速恢复二极管或肖特基二极管。

3.根据权利要求1所述的一种用于SiC mosfet的新型高次谐波多...

【技术特征摘要】

1.一种用于sic mosfet的新型高次谐波多谐振栅极驱动器拓扑，其特征在于，包括输入端接口vin、驱动电路电源vcc和vee、偏置电路(r1-r2，d1-d4，q1-q4)、阻容延迟网络(r3，r4，r5，c1，c2)、谐振电路(lf，lr，ls，cs，cf)、二极管钳位电路(d1，d3)、栅极驱动部分(rg，ciss，s1)；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁朋生，李宁，刘雷，林欢，王婷，刘野，薛小草，李振国，贾国强，裴昌胜，陈冠霖，陈光伟，沈文静，姚红岩，蔺思玮，
申请(专利权)人：江苏广识电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：