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本发明提供一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶。在本发明的制备方法中，通过特殊的SiC籽晶的切割拼接方法，使得到的拼接籽晶表面具有不同的台阶流方向，从而可以在置于与坩埚圆心同心的前提下，实现整个籽晶表面反平行流。本发明制备方法能够降低SiC...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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