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本申请涉及集成电路器件技术领域，公开一种互补型场效应晶体管和反相器电路，其中，互补型场效应晶体管包括：P型隧穿场效应晶体管，包括N型掺杂源区、第一pocket层、第一体区、第一栅极、第一氧化层、P型掺杂漏区；N型隧穿场效应晶体管，包括P型掺...
该专利属于紫光同芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过紫光同芯微电子有限公司授权不得商用。

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