互补型场效应晶体管和反相器电路制造技术

本申请涉及集成电路器件技术领域，公开一种互补型场效应晶体管和反相器电路，其中，互补型场效应晶体管包括：P型隧穿场效应晶体管，包括N型掺杂源区、第一pocket层、第一体区、第一栅极、第一氧化层、P型掺杂漏区；N型隧穿场效应晶体管，包括P型掺杂源区、第二pocket层、第二体区、第二栅极、第二氧化层、N型掺杂漏区；其中，第一体区与第二体区连接，形成互补型场效应晶体管的本征区，第一漏端电极和第二漏端电极连接。在本公开实施例中，不需要对本征区进行掺杂，只需要对P型隧穿场效应晶体管和N型隧穿场效应晶体管进行源漏掺杂即可形成互补型场效应晶体管结构，可以提高由该互补型场效应晶体管构成的反相器的电学特性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路器件，例如涉及一种互补型场效应晶体管和反相器电路。

技术介绍

1、cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)反相器的工作原理基于pmos(positive-channel metal oxide semiconductor，p沟道金属氧化物半导体)和nmos(negative-channel metal oxide semiconductor，n沟道金属氧化物半导体)的互补特性。cmos反相器由一个pmos晶体管和一个并联的nmos晶体管组成。当输入信号为高电平时，nmos晶体管导通，pmos晶体管截断，输出信号为低电平；当输入信号为低电平时，pmos晶体管导通，nmos晶体管截断，输出信号为高电平。通过控制输入信号，cmos反相器可以实现输入与输出信号之间的逻辑反转。

2、相关技术中，cmos反相器通过在p型衬底上进行n型掺杂，形成n阱，然后在n阱内进行源漏掺杂形成pmos结构，并在p型衬底上进行源漏掺杂形成nmos结构。

3、在实现本公开实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种互补型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，第一体区和第二体区均呈L型，第一体区的垂直部分与第二体区的垂直部分连接；

3.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

7.根据权利要求1至6任一项所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

8.根据权利要求1至6任一项所述...

【技术特征摘要】

1.一种互补型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，第一体区和第二体区均呈l型，第一体区的垂直部分与第二体区的垂直部分连接；

3.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的互补型场效应晶体管，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：宋嘉强，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：