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本申请涉及半导体器件领域且提供一种压电MEMS谐振器以及电子元件。该谐振器包括盖帽晶圆和器件晶圆，盖帽晶圆包括盖帽层，器件晶圆包括：衬底层；设置于衬底层的谐振空腔；位于谐振空腔上侧的器件硅层；位于器件硅层上侧的压电层；位于压电层上侧的顶电极...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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