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本发明公开了一种双向栅控可控硅结构，包括第一P型外延层、第二P型外延层、层叠设置的第一N型深well掺杂类型阱区和第一N型well掺杂类型阱区；第一P型外延层上提供有第一P型高压掺杂类型阱区，第一P型高压掺杂类型阱区的一侧内部提供有第一P型...
该专利属于上海川土微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海川土微电子有限公司授权不得商用。

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