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本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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