一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明专利技术提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在待刻蚀基体形成刻蚀槽，使待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；其中化学腐蚀与物理轰击共同作用；损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件。其中化学腐蚀起主导作用。本发明专利技术可以解决干法刻蚀氮化镓器件会对产品结构侧壁造成损伤，加重侧壁缺陷，导致非辐射复合几率变大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。

技术介绍

1、随着显示技术的发展，led显示技术正在迎来跨越式发展，其中以mirco-led(微米发光二极管)技术为代表的新一代显示技术已成为典型代表。

2、对于移动显示器而言，需求日益增长，这推动了下一代显示技术采用微型像素。这一转变从传统的液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)发展到了micro led技术，后者具有显著优势，包括更高的分辨率、降低的能耗、更长的使用寿命、更高的亮度以及更快的响应时间。尤其是，基于氮化镓(gan)的micro led在显示技术和可见光通信(vlc)研究中已成为关键技术。然而，随着芯片尺寸的减小，特别是在高清显示中关键的超小芯片，效率的下降对micro led的商业可行性构成了重大挑战。在传统的自上而下的led制造过程中，主要使用感应耦合等离子体(icp)进行干法刻蚀，这会导致器件侧壁受到等离子体相关的损伤。随着器件尺寸的缩小，由于周长与面积比增加，这种损伤变得更加明显，加剧了尺寸效应。侧壁损伤增加了shockley-read-h本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓器件形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，还包括以下步骤：

9.根据权利要求8所...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓器件形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的氮化镓器件形成方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小琦，黄凯，李金钗，杨旭，张荣，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：