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本发明公开了一种蒸发源和蒸镀装置，涉及真空蒸镀技术领域，其中，蒸发源用于向位于所述蒸发源下方的基片进行镀膜，所述蒸发源包括壳体、多个反应料槽及抽真空组件。所述壳体形成有气源室，所述壳体设有连通所述气源室的喷嘴；每一所述反应料槽通过一运输通道...
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