【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空蒸镀，特别涉及一种蒸发源和蒸镀装置。
技术介绍
1、真空蒸镀是指在一定的真空条件下，采用电阻、电子束、射频感应、电弧、激光等方法加热镀膜材料，使其气化为具有一定能量的气态粒子，由于空气气体的密度随着真空度的提升而减小，因此气态粒子在真空环境中具有更大的自由程，将自由、快速地运动至基片表面形成薄膜。在蒸镀过程中，一部分气态粒子吸附在基片表面上形成晶核，随着镀膜材料的持续蒸发，在基片表面沉积的晶核逐渐增大并连接起来，最终形成连续的薄膜。
2、在现有技术中，蒸镀装置普遍采用的是自下往上的蒸镀沉积方式。在这一方式中，气源室用于将镀膜材料升华为气态，传动装置用于运输基片，气源室位于转动装置的下方，也就是说镀膜材料位于基片的下方，气态的镀膜材料通过喷嘴喷射，穿过传动装置，沉积到基片上，最终完成覆膜。
3、然而，在自下往上的蒸镀方式中，由于传动装置的存在，会部分遮挡蒸汽的上升路径，导致每次只能向基片上沉积少量的镀膜材料，反应料槽内的镀膜材料很快就会被用完，为了满足生产需求，则必须经常暂停蒸镀装置，以向反应料槽...
【技术保护点】
1.一种蒸发源，用于向位于所述蒸发源下方的基片进行镀膜，其特征在于，所述蒸发源包括：
2.如权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，每一所述运输通道包括连通所述气源室和所述反应料槽的升华管，以及设于所述升华管外侧的加热片，所述加热片用于加热所述升华管。
3.如权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述壳体包括保护壳和设于所述保护壳内的混合通道，所述混合通道包括主体部，以及与所述主体部连接的多个扩口部，所述气源室形成于所述主体部和所述扩口部内，所述喷嘴设于所述主体部，每一所述升华管与一所述扩口部连通，所述扩口部靠近所述升华管的端面面积小于远离所述升华管
...【技术特征摘要】
1.一种蒸发源，用于向位于所述蒸发源下方的基片进行镀膜，其特征在于，所述蒸发源包括：
2.如权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，每一所述运输通道包括连通所述气源室和所述反应料槽的升华管，以及设于所述升华管外侧的加热片，所述加热片用于加热所述升华管。
3.如权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述壳体包括保护壳和设于所述保护壳内的混合通道，所述混合通道包括主体部，以及与所述主体部连接的多个扩口部，所述气源室形成于所述主体部和所述扩口部内，所述喷嘴设于所述主体部，每一所述升华管与一所述扩口部连通，所述扩口部靠近所述升华管的端面面积小于远离所述升华管的端面面积。
4.如权利要求3所述的蒸发源，其特征在于，部分所述扩口部插入所述升华管内，以形成凸出于所述升华管内壁的凸起。
5.如权利要求3所述的蒸发源，其特征在于，所述主体部和所述扩口部之...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴根辉，张书晶，伍丰伟，刘志坤，何敏贞，林振超，
申请(专利权)人：旗滨新能源发展深圳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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