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本发明涉及光电材料与器件技术领域，提供了一种基于Si掺杂SnO2薄膜的光电材料及其器件应用方法。主旨在于解决纯SnO2薄膜导电性与光电性能的局限性问题，主要方案包括采用原子层沉积法(ALD)制备Si掺杂SnO2薄膜，通过控制Si掺杂浓度、沉...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（衢州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（衢州）授权不得商用。

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