【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料与器件，一种基于si掺杂sno2薄膜的光电材料及其器件应用方法。
技术介绍
1、sno2作为一种重要的宽禁带半导体材料，因其优异的光透过率(≥85％)、良好的导电性能以及卓越的化学稳定性，广泛应用于透明导电薄膜(tco)、电致变色器件和太阳能电池等领域。然而，纯sno2薄膜的导电性与光电性能依然面临若干瓶颈，主要由于其导电性来源于氧空位缺陷，导致本征载流子浓度不足，响导电效率；同时，较大的禁带宽度限制了其在发光领域的应用潜力。尤其在光电转换效率和导电性方面，限制了其在高效光电器件中的应用，为了突破这一局限性，掺杂优化成为提升sno2性能的关键途径。近年来，si掺杂因其能够精细调控载流子浓度与能带结构的特性，成为提升sno2性能的热门方向。尽管如此，si掺杂sno2薄膜的制备工艺及其在光电器件中的系统应用尚处于探索阶段，亟需开发高效、可控的制备方法，进一步提升其在新型光电器件中的应用潜力。
2、现有技术《掺杂改性纳米晶sno2薄膜制备及其气敏特性的研究》采用了一种溶胶-凝胶法，溶胶-凝胶法是一种湿化学方法...
【技术保护点】
1.一种制备Si掺杂SnO2薄膜材料的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的一种制备Si掺杂Sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种制备Si掺杂SnO2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种制备Si掺杂SnO2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤2包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种制备Si掺杂SnO2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骡：步骤3包括以下步骤：
6.根据权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤2包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骡：步骤3包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种制备si掺杂sno2薄膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：si掺杂sno...
【专利技术属性】
技术研发人员：李霞，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院衢州，
类型：发明
国别省市：
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