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本发明公开了一种氩离子注入实现GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。GaN基增强型场效应晶体管的制造方法包括选择合适的注入能量、注入剂量，注入栅下的势垒层而不影响其他位置，保证注入发生在势垒层而不损伤GaN沟道层，通过注入损伤的方式使部分...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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