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本申请提供了一种半导体激光器及其制备方法，包括层叠设置的衬底、锗波导层和锗锡外延结构，锗波导层远离衬底的一侧包括相互连接的第二波导部和第三波导部，第二波导部自靠近第三波导部的一侧向远离第三波导部的一侧的宽度逐渐降低，锗锡外延结构形成于第三波...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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