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本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口４１向被处理物１０喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口４１的处理头３９相对于被处理物１０在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物１０的表面形成的硅。以使在被处理物１...
该专利属于积水化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过积水化学工业株式会社授权不得商用。

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