蚀刻方法及装置及被处理物制造方法及图纸

本发明专利技术的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口４１向被处理物１０喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口４１的处理头３９相对于被处理物１０在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物１０的表面形成的硅。以使在被处理物１０的表面上形成的凝结层１８的厚度ｔ成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为３～４ｍ／分钟以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在大致大气压下蚀刻在被处理物上形成的非晶体硅等硅 层的方法及装置及蚀刻的被处理物。
技术介绍
例如，专利文献1、2中记载有利用03氧化晶片表面的硅的基础上(式 11)，使用HF，蚀刻的技术。在专利文献3中记载有通过在CF4等氟系气体中，引起大气压附近放 电而生成HF，利用该HF，蚀刻(式12)氧化硅的技术。S i + 2 0 3—S i 0 2+ 2 0 2 (式1 1 )S i 02+4 H F+H20 —S i F4+3 H20(式1 2 )专利文献1日本特开2003—264160号公报专利文献2日本特开2004 — 55753号公报专利文献3日本特开2000 — 58508号公报如图12所示，在以往的硅蚀刻中，相对地扫描被处理物10的同时， 将含有HF及03的处理气体向被处理物IO喷射的情况下，例如，SiN层 13析出的阶段下，也根据部位，硅膜16以斑点状残留，导致处理不均出 现的问题。残留硅膜16例如容易形成于基板11上的与栅线12对应的部 分的周边上设置的角部19等。专利技术人为了解决上述问题，进行了专心致志的研究、考察。 知道在被处理物的表面的与处理气体接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其在大致大气压下，将含有氟化氢和臭氧的处理气体向被处理物喷射，蚀刻在所述被处理物的表面形成的硅，其特征在于，包括：　相对于所述被处理物，使喷出所述处理气体的一个或沿一个方向排列的多个喷出部沿所述一个方向相对地进行往返或单 程移动的工序；　以使在所述被处理物的表面上形成的凝结层的厚度成为规定厚度以下的方式将所述移动的速度设定为规定速度以上的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚智弘，石井彻哉，中岛节男，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]