温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种TSV硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1、沉积刻蚀终止保护层；S2、形成第一光刻层；S3、形成第二光刻层；S4、对上述两层光刻层进行显影，得到第一开口和内径大于第一开口的第二开口；S5、进行第一阶段刻蚀；S6、进行第二阶段...
该专利属于苏州星中达进出口有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州星中达进出口有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。