一种TSV硅晶圆的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TSV硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1、沉积刻蚀终止保护层；S2、形成第一光刻层；S3、形成第二光刻层；S4、对上述两层光刻层进行显影，得到第一开口和内径大于第一开口的第二开口；S5、进行第一阶段刻蚀；S6、进行第二阶段刻蚀；S7、进行第三阶段刻蚀；S8、去除硅片上的光刻胶和底部金属层。通过采用较薄的第一光刻层和稍大的第二开口设计，在第一阶段刻蚀时，能使第一光刻层的第一开口消耗至与第二开口一致；在第二阶段刻蚀时，利用第一开口和第二开口能够在继续向下刻蚀硅通孔的同时消除侧壁毛刺。该方法实现了高效率开设硅通孔，有效削减了硅通孔侧壁扇贝纹，改善了侧壁粗糙度，提升了硅通孔晶圆的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种tsv硅晶圆的制备方法。

技术介绍

1、tsv(through silicon via)中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；tsv技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，tsv技术有高密度、高集成度以及高速互联优势，是实现3d先进封装的关键技术，业内人士将tsv称为继引线键合(wire bonding)、倒带自动焊(tab)和倒装芯片(fc)之后的第四代封装技术。

2、硅通孔技术为最小尺寸的芯片互联和最小盘尺寸间距互通提供了技术支持，藉由硅通孔，不仅可以缩短晶片间的导通路径，提升信号速度，降低功耗和杂讯，还可以实现异质架构整合，满足未来消费电子对装置轻薄且节能的严苛要求。

3、bosch刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法，因为刻蚀和钝化交替进行，不可避免地会在硅通孔的侧壁形成扇贝纹，其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后续填充的各层材料以及它们之间的界面不平滑，从而严重影响tsv的性能以及三维集成系统的可靠性。因此,削本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TSV硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种TSV硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第二开口(5)的内径为制备硅通孔的直径。

3.如权利要求1所述的一种TSV硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第一光刻层(3)的厚度较薄，满足第一阶段刻蚀深度的消耗。

4.如权利要求1所述的一种TSV硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第二光刻层(4)的厚度满足目标刻蚀深度的消耗。

5.如权利要求1所述的一种TSV硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，步骤S5第一阶段刻蚀中具体包括：

6.如权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种tsv硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种tsv硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第二开口(5)的内径为制备硅通孔的直径。

3.如权利要求1所述的一种tsv硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第一光刻层(3)的厚度较薄，满足第一阶段刻蚀深度的消耗。

4.如权利要求1所述的一种tsv硅晶圆(1)的制备方法，其特征在于，第二光刻层(4)的厚度满足目标刻蚀深度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：余维嘉，李国利，吴超成，王浩增，
申请(专利权)人：苏州星中达进出口有限公司，
类型：发明
国别省市：

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