温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，电路由NMOS主管、比较器电路、偏置电源和驱动电路等构成，比较器电路由两个独立NMOS(NPN)辅管或者具有相同的参数且封装在一起NMOS(NPN)对管、电阻等组...
该专利属于嘉禾县粤嘉电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉禾县粤嘉电子技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。