一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管制造技术

本发明专利技术涉及二极管技术领域，尤其是一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，电路由NMOS主管、比较器电路、偏置电源和驱动电路等构成，比较器电路由两个独立NMOS(NPN)辅管或者具有相同的参数且封装在一起NMOS(NPN)对管、电阻等组成。比较器用于比较输入端电源VCC、输出端电源Vout的大小，比较器后端辅管V3输出的比较信号经过驱动电路连接NMOS主管的栅极，控制NMOS主管的导通与截止；电源VBIAS具有较高电压，为控制NMOS主管开启与截止提供偏置电源；驱动电路可以增加NMOS主管的驱动能力；设计多种后端辅管控制NMOS主管的高端理想二极管电路，并进行了电路原理分析和软件仿真验证，结果表明设计的多种电路具有防止倒灌等功能，可以保护前级电路，电路简单、低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率二极管，具体是指一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管。

技术介绍

1、二极管由于具有单向导通特性，耐反向电压比较高，反向电流很小，具有很好防止倒灌功能；肖特基二极管串接的电源上具有较小压降，耐反向电压比较低，反向电流较大，防止倒灌功能较弱；使用mos主管作为理想二极管的压降比较小，具有低阻抗特性，但是耐压反向电压较低。

2、按照控制电源极性分，分为high side(高端、高侧、高边)负载开关、low side(低端、低侧、低边)负载开关，分别类似于控制市电220v的火线、零线。高端负载开关：它通过外部使能信号的控制来连接或断开电源(电池或适配器)至特定的负载。相比低端负载开关，高端负载开关“流出”电流至负载，而低端负载开关则将负载连接或者断开负极，因此它从负载“汲入”电流。低端理想二极管作为低端驱动开关，安装于负载和电源负极之间负载，控制导通或者断开电源负极，因此它从负载“汲入”电流。

3、基于pmos管为主管的高端理想二极管很常见，现有方案多为pmos主管+pnp对管(辅管)或者pmos主管+pmos对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述电路包括NMOS主管V1、比较器电路、偏置电源VBIAS和驱动电路构成；

2.根据权利要求1所述的一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述晶体管对管为NPN辅管V2、V3，外围电路包括电阻R1、R2；

3.根据权利要求2所述的一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述驱动电路包括PNP管V4、栅源偏置电阻R3、基极限流电阻R4；

4.根据权利要求2所述的一种基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述驱动电路包括PMOS管V4、栅源...

【技术特征摘要】

1.一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述电路包括nmos主管v1、比较器电路、偏置电源vbias和驱动电路构成；

2.根据权利要求1所述的一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述晶体管对管为npn辅管v2、v3，外围电路包括电阻r1、r2；

3.根据权利要求2所述的一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述驱动电路包括pnp管v4、栅源偏置电阻r3、基极限流电阻r4；

4.根据权利要求2所述的一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管，其特征在于：所述驱动电路包括pmos管v4、栅源偏置电阻r3；

5.根据权利要求1所述的一种基于nmos管后端辅管控制高端理想二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈石平，
申请(专利权)人：嘉禾县粤嘉电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：