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本发明涉及凝聚态物理和材料科学领域中的晶体生长技术领域，特别是指一种用于生长Kagome金属AV<subgt;3</subgt;Sb<subgt;5</subgt;单晶的方法；所述的方法通过直接自助溶剂法结合特定的温...
该专利属于散裂中子源科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过散裂中子源科学中心授权不得商用。

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