一种用于生长Kagome金属AV3Sb5单晶的方法技术

本发明专利技术涉及凝聚态物理和材料科学领域中的晶体生长技术领域，特别是指一种用于生长Kagome金属AV<subgt;3</subgt;Sb<subgt;5</subgt;单晶的方法；所述的方法通过直接自助溶剂法结合特定的温度控制程序，实现了对Kagome金属单晶的有效生长，为深入研究Kagome晶格中的量子现象提供了重要的材料基础，同时也为制备低能耗电子元器件、超导二极管以及纳米光学和光子学器件等应用提供了可能；本发明专利技术不仅提高了单晶的质量和尺寸，还简化了生长流程，增强了可重复性和稳定性，实现了Mn掺杂的灵活调控，并拓宽了应用领域，相较于现有技术，具有显著的优势和有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及凝聚态物理和材料科学领域中的晶体生长，特别是指一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法。

技术介绍

1、kagome晶格，以其独特的角共享三角形结构，成为了研究诸多量子现象的理想平台。这些量子现象包括但不限于阻挫磁性、拓扑物态、密度波以及非常规超导等，它们主要源自于布里渊区内的本征平带、狄拉克锥和范霍夫奇点，且深度依赖于能带填充情况。近年来，一类新的kagome金属av3sb5(其中a代表k、rb、cs等碱金属元素)因其复杂的电子能带结构而展现出多种奇特的量子效应，从而受到了科研界的广泛关注。

2、特别是csv3sb5，这种kagome金属在零磁场环境下即能表现出超导二极管效应，为开发新型超导二极管器件提供了理论基础。同时，csv3sb5与光的相互作用研究中首次发现了等离子体极化子，这一发现不仅增进了我们对kagome金属特性的理解，而且为纳米光学和纳米光子学技术的进步开辟了新的道路，预示着其在超聚焦透镜、波导、传感器、调谐器以及谐振器等器件中具有潜在的应用价值。此外，csv3sb5还展现出巨大的反常霍尔效应，这一特性为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于生长Kagome金属AV3Sb5单晶的方法，其特征在于：采用直接自助溶剂法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于生长Kagome金属AV3Sb5单晶的方法，其特征在于：所述原料A、V、Sb和Mn的纯度均不低于99.5％。

3.根据权利要求1所述的一种用于生长Kagome金属AV3Sb5单晶的方法，其特征在于：步骤S1中原料研磨混合的时间不少于15分钟。

4.根据权利要求1所述的一种用于生长Kagome金属AV3Sb5单晶的方法，其特征在于：步骤S2中密封石英玻璃管前需进行抽真空处理，并保持一段时间。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法，其特征在于：采用直接自助溶剂法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法，其特征在于：所述原料a、v、sb和mn的纯度均不低于99.5％。

3.根据权利要求1所述的一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法，其特征在于：步骤s1中原料研磨混合的时间不少于15分钟。

4.根据权利要求1所述的一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法，其特征在于：步骤s2中密封石英玻璃管前需进行抽真空处理，并保持一段时间。

5.根据权利要求1所述的一种用于生长kagome金属av3sb5单晶的方法，其特征在于：步骤s3中从室温升温至1000℃的速率为40℃/h，并在1000℃下保持20小时。

6.根据权利要求1所述的一种用于生长kag...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈俊英，童欣，罗伟，徐状，王欣敏，
申请(专利权)人：散裂中子源科学中心，
类型：发明
国别省市：