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本发明提供了一种在SiO<subgt;2</subgt;/Si上制备出局部相嵌于SiO<subgt;2</subgt;/Si内部的PdTe<subgt;2</subgt;量子点方法，制备方法包括：(a)首...
该专利属于闽南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过闽南师范大学授权不得商用。

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