一种在SiO2/Si上制备出局部相嵌于SiO2/Si内部的PdTe2量子点方法技术

本发明专利技术提供了一种在SiO<subgt;2</subgt;/Si上制备出局部相嵌于SiO<subgt;2</subgt;/Si内部的PdTe<subgt;2</subgt;量子点方法，制备方法包括：(a)首先将SiO<subgt;2</subgt;/Si衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，随后将清洗好的衬底用匀胶机甩干备用；(b)采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在SiO2/Si衬底上溅射一层Pd薄膜；(c)将溅射Pd薄膜后的Pd/SiO<subgt;2</subgt;/Si前驱体与Te粉一同放入双温区管式炉中，制备SiO<subgt;2</subgt;/Si上PdTe<subgt;2</subgt;量子点。这些量子点的尺寸与形态在一定程度上受到Te蒸汽的扩散速率和反应温度的影响，较低温度会形成较小的量子点，故本发明专利技术在低温下制备PdTe<subgt;2</subgt;量子点，以提高其光吸收强度及其吸收范围。本发明专利技术与其他制备PdTe<subgt;2</subgt;薄膜不同的是首次提出制备PdTe<subgt;2</subgt;量子点，量子点与传统二维材料相比优势在于其可见‑近红外波段的光吸收得到极大的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于热辅助转换法制备薄膜的工艺，尤其是提供了一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点的碲化方法。

技术介绍

1、近年来，一类二维（2d）拓扑半金属材料由于其在纳米尺度上展现出的独特的物理和光电特性而成为一种极具前景的材料体系。由于二维材料层间的范德华力允许材料堆叠并且无间隙的电子结构可以在超宽带范围内检测光波长。基于以上特性使二维拓扑半金属成为红外光电探测领域的理想候选材料。在广泛的二维（2d）拓扑半金属材料中，二维pdte2因其可调的窄带隙，高载流子迁移率和卓越的空气稳定性而受到越来越多的关注。这些优势使二维拓扑半金属成为红外光电探测领域的理想候选材料。例如，zhang等人提出了硅岛型zno@pdte2复合材料作为异质结光电探测器，在从太阳盲区（254 nm）到短红外（1.55 μm）的宽波段内具有高灵敏度的光电探测能力。器件具有超快响应（1.58/1.34 μs），探测率高达1.56 × 1013jones，灵敏度高达107cm2/w。由于pdte2具有良好导电性和热导性的特性，在光传感、多光谱成像和光通信等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在SiO2/Si上制备出局部相嵌于SiO2/Si内部的PdTe2量子点方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种在SiO2/Si上制备出局部相嵌于SiO2/Si内部的PdTe2量子点方法，其特征在于，溅射Pd薄膜处理过程包括：采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在经过清洗和干燥后的SiO2/Si衬底上溅射一层Pd薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种在SiO2/Si上制备出局部相嵌于SiO2/Si内部的PdTe2量子点方法，其特征在于，进行反应的双温区管式炉使Pd原子成为Pd量子点反应条件为：Te粉区450-500℃，Pd/SiO2/Si区350-400℃，...

【技术特征摘要】

1.一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点方法，其特征在于，溅射pd薄膜处理过程包括：采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在经过清洗和干燥后的sio2/si衬底上溅射一层pd薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点方法，其特征在于，进行反应的双温区管式炉使pd原子成为pd量子点反应条件为：te粉区450-500℃，pd/sio2/si区350-400℃，上温区升温速率为8℃/min，下温区升温速率为10℃min，氩气流量50-150 sccm，保温2-3 h。

4.根据权利要求1所述的一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点方法，其特征在于，用于进行反应的双温区管式炉还有以下特征：

5.根据权利要求1所述的一种在sio2/si上制备出局部相嵌于sio2/si内部的pdte2量子点方法，其特征在于，用于进行反应的双温区管式炉还配有尾气回收装置，尾气回收装置有以下特征：

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【专利技术属性】
技术研发人员：柯少颖，刘滨，徐晓佳，李志明，
申请(专利权)人：闽南师范大学，
类型：发明
国别省市：