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本申请涉及一种SiC MOSFET元胞结构及其制备方法、器件、设备，方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底的第一外延层；于第一外延层内形成经由第一外延层的顶面向第一外延层内延伸至预设深度，且沿平行于顶面的第一方向间隔分布的P型柱；形成覆盖第一外延...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。

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