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本发明提供一种铜晶种除去用铜蚀刻液，其铜晶种层除去性充分，并且能够抑制铜配线或铜电极的表面粗糙度增加和电路变细。本发明提供一种铜晶种层除去用铜蚀刻液，其特征在于含有有机酸和过氧化氢，pH为5.0～8.0。...
该专利属于奥野制药工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过奥野制药工业株式会社授权不得商用。

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