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本技术提供一种静电放电二极管及电路结构，静电放电二极管包括衬底、离子阱和栅极；离子阱位于衬底内，离子阱上具有间隔设置的第一注入区和所述第二注入区，且离子阱延伸至第一注入区和第二注入区之间的间隔；栅极位于第一注入区和第二注入区之间的间隔的离子...
该专利属于南宁初芯集成电路设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南宁初芯集成电路设计有限公司授权不得商用。

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