静电放电二极管及电路结构制造技术

本技术提供一种静电放电二极管及电路结构，静电放电二极管包括衬底、离子阱和栅极；离子阱位于衬底内，离子阱上具有间隔设置的第一注入区和所述第二注入区，且离子阱延伸至第一注入区和第二注入区之间的间隔；栅极位于第一注入区和第二注入区之间的间隔的离子阱的上表面。如此配置，第一方面，本技术在二极管原本的第一注入区和第二注入区之间的隔离结构的位置的上方设计栅极，从而将二极管原本的第一注入区和第二注入区之间的隔离结构移除，使得本技术的二极管的导通电流除了原有的往下向底层截面的导通电流外，还增加了侧向(左右方向)截面的导通电流，从而可以增加二极管整体的导通电流，极大提升二极管的静电放电能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别涉及一种静电放电二极管及电路结构。

技术介绍

1、随着集成电路的广泛应用以及芯片工艺的不断进步，芯片的静电防护(electro-static discharge，esd)变得越来越重要。静电在芯片的制造、封装、测试和使用过程中无处不在，积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放，瞬间功率高达几十或者上百瓦，可对芯片造成极大的损伤。而二极管是芯片设计中广泛使用的器件，二极管的静电防护性能对于芯片来说至关重要。

2、图1是现有技术中一种静电放电二极管的截面图。二极管常用来当作静电放电的保护元件，传统的静电放电二极管的制程结构的p极(阳极)和n极(阴极)的侧向截面被半导体制程的浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)结构所阻隔，这里具体指的是被第一浅沟槽隔离结构51所阻隔，造成二极管有效导通电流的截面只有向下的方向的底层截面，没有左右方向的侧面截面。此外，n+接面(阴极)还被第二浅沟槽隔离结构52所围绕。

3、由于电子流需要绕过第一浅沟槽隔离结构51才能从p极到达n极实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电放电二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述第一注入区为P型注入区，所述第二注入区为N型注入区，所述离子阱为N型阱。

3.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。

4.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述第二注入区围绕所述第一注入区，所述栅极围绕所述第一注入区。

5.根据权利要求4所述的静电放电二极管，其特征在于，所述静电放电二极管还包括隔离结构，所述隔离结构围绕所述第二注入区。

6.根据权利要求5所述的静电放电二极管，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种静电放电二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述第一注入区为p型注入区，所述第二注入区为n型注入区，所述离子阱为n型阱。

3.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。

4.根据权利要求1所述的静电放电二极管，其特征在于，所述第二注入区围绕所述第一注入区，所述栅极围绕所述第一注入区。

5.根据权利要求4所述的静电放电二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴坤泰，
申请(专利权)人：南宁初芯集成电路设计有限公司，
类型：新型
国别省市：