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本发明公开了一种中红外多峰窄带高品质因素超表面滤波器及方法，其中滤波器包括：介质层；超表面，设置在所述介质层上，包括多个周期排列的半导体结构，所述半导体结构由多个不同尺寸的长方体构成；所述超表面在TE极化模式的电磁波的垂直入射下，电磁波在半...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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