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本发明属于水电解制氢领域，具体涉及一种NiMC自生长析氢阴极的薄层制备工艺，其中，M为Cu、Mo、Co、Fe、Mn。本发明是在经过前期预处理后的多孔镍基材料表面自生长形成薄层析氢阴极。自生长过程通过自动喷涂、丝网印刷、刷涂、浸渍等工艺实现，...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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