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本专利公开了一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法。此方法首先对半导体晶圆进行化学预处理，然后将热处理与紫外光辐照结合起来，以优化晶圆的表面条件。随后结合脉冲激光器输出整形后的平顶激光，通过双波长的激光序列依次扫描半导体晶圆，并采用非线性...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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