一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法技术

本专利公开了一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法。此方法首先对半导体晶圆进行化学预处理，然后将热处理与紫外光辐照结合起来，以优化晶圆的表面条件。随后结合脉冲激光器输出整形后的平顶激光，通过双波长的激光序列依次扫描半导体晶圆，并采用非线性的激光扫描路径来优化改性效果，以实现激光的预处理工序。最后，对经激光预处理的晶圆进行化学机械抛光，从而获得最终的成品样件。该方法具有简单、高效、可重复性强等优点，可以有效提高后续化学机械抛光半导体晶圆的效率和质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光辅助加工，具体涉及一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法。

技术介绍

1、在半导体和先进材料加工领域，碳化硅等半导体材料因其特殊的物理和化学性质广泛受到关注。这类半导体具有高硬度、高热导性、化学稳定性好和抗氧化性强等优点，这使得其非常适合用于制造高性能的电子器件，特别是在高频、高功率和高温环境下工作的器件。然而，硬脆半导体的加工难度非常大，常规的加工方法往往无法满足后续精加工过程中对材料表面质量的要求。

2、化学机械抛光(cmp)是目前半导体行业中用于平坦化晶圆表面的关键技术。尽管cmp是一项成熟的技术，但由于碳化硅等半导体材料的硬度很高，使得通过cmp方法对其进行抛光面临诸多挑战。由于半导体晶圆在cmp抛光过程中去除率低、效率不高，导致抛光时间延长，从而增加了制造成本并降低了生产效率。因此，提升半导体晶圆在cmp中的去除率是目前急需解决的一个技术难题。

3、针对上述问题，近年来，研究者们开始尝试应用激光技术来改善半导体晶圆的抛光效果。激光作为一种高能量密度的光源，可以在材料表面产生微观结构的改变，从而实现材料表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(1)中通入的氧气流速为20-50sccm，加热温度为900-1100℃，紫外光波长为200-350nm，辐照时间为20-40min。

3.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(2)中的脉冲激光器为飞秒、皮秒或纳秒激光器。

4.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(3)中先扫描的激光波长为350-400nm...

【技术特征摘要】

1.一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(1)中通入的氧气流速为20-50sccm，加热温度为900-1100℃，紫外光波长为200-350nm，辐照时间为20-40min。

3.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(2)中的脉冲激光器为飞秒、皮秒或纳秒激光器。

4.根据权利要求1所述的一种激光辅助化学机械抛光半导体晶圆的方法，其特征在于，所述步骤(3)中先扫描的激光波长为350-400nm，后扫描的激光波长为700n...

【专利技术属性】
技术研发人员：管迎春，马毅，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：