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本发明提供了一种横向MOS器件及制备方法，P型衬底的上表面依次向上变掺杂外延生长有埋氧层、P型漂移区；栅极的底部与埋氧层的上表面相接；P型漂移区上的沟槽结构内部填充有介质层；栅极设置于介质层的一侧，介质层的另一侧设置有第一P+区，栅电极的上...
该专利属于湖南杰楚微半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南杰楚微半导体科技有限公司授权不得商用。

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