一种横向MOS器件及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种横向MOS器件及制备方法，P型衬底的上表面依次向上变掺杂外延生长有埋氧层、P型漂移区；栅极的底部与埋氧层的上表面相接；P型漂移区上的沟槽结构内部填充有介质层；栅极设置于介质层的一侧，介质层的另一侧设置有第一P+区，栅电极的上表面、第一P+区的上表面均与介质层的上表面齐平，漏极设置于第一P+区的上部；介质层与栅电极之间设置有N型阱区；N型阱区的上部设有第二P+区和N+区，第二P+区和N+区均位于栅电极与介质层之间，第二P+区位于N+区与栅电极之间；源极设置于N+区的上部；避免了传统LDMOS高压器件表面靠硅层耐压而导致的横向电场较低的问题，增强了器件横向单位长度的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，特别涉及一种横向mos器件及制备方法。

技术介绍

1、近年来半导体器件广泛的应用于栅驱动电路、高压开关控制电路和射频电路等集成电路，并在各行各业具有相当大的应用前景。由于横向双扩散金属氧化物半导体(ldmos，lateral double-diffused metal oxide semicondutor)的导电沟道是横向的，并且源、栅和漏电极都在芯片表面，便于内部的连接与低压信号的集成。ldmos器件的控制电路简单，在高频、增益和开关特性等方面都有着很大的优越性，已成为国内外学术界研究的热点。

2、绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件(soi ldmos，silicon oninsulator lateral double-diffused metal oxide semicondutor)因其低功耗、高频率、高集成度等特点，广泛用于智能功率集成电路(spic，smart power integrated circuit)，如汽车电子、医疗电子、智能家电和航空航天等领域。现在对于soi mosfet的研究绝大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向MOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向MOS器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的横向MOS器件，其特征在于，所述介质层(7)内的介质为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的横向MOS器件，其特征在于，还包括：

5.一种横向MOS器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任一项所述的横向MOS器件，所述制备方法包括：

6.根据权利要求5所述的横向MOS器件的制备方法，其特征在于，步骤5还包括：

7.根据权利要求6所述的横向MOS器件的制备方法，其特征在于，在所述...

【技术特征摘要】

1.一种横向mos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向mos器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的横向mos器件，其特征在于，所述介质层(7)内的介质为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的横向mos器件，其特征在于，还包括：

5.一种横向mos器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任一项所述的横向mos器件，所述制备方法包括：

6.根据权利要求5所述的横向mos器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱滔，邓秀琳，张凡文，刘涛，
申请(专利权)人：湖南杰楚微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：