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本发明公开一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法，属于微纳电子学技术领域。本发明方法针对1T结构的多级存储铁电场效应晶体管阵列，提出自补偿写入方法，采用自补偿波形的脉冲序列进行写入，分别对应多级存储中不同的存储状态，高于中间存储状态采用正脉冲写...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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