【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳电子学，具体涉及一种铁电场效应晶体管(fefet)阵列的写入方法。
技术介绍
1、随着后摩尔时代的到来，人工智能、物联网、自动驾驶、云计算等新技术飞速发展，全球数据总量逐年激增，这对数据的存储和高效处理提出了更高的要求。在进行数据处理时，大量数据需要在计算单元与各级存储单元中频繁搬运，制约了算力的进一步提升并带来严重的功耗瓶颈。这其中的根源是由于传统存储单元无法同时实现非易失、高存储密度和高速数据访问的要求，进而严重限制了对海量数据的存储和高效处理能力，因此迫切需要发展高速度、高集成密度、低功耗的新型非易失存储器件。
2、在众多新型非易失存储器件候选中，氧化铪基铁电场效应晶体管(fefet)由于其超低功耗、高速、可微缩潜力以及多级存储潜力等优势具有极大的发展前景。然而，fefet仍然面临着严重的可靠性问题，包括器件与器件之间(d2d)与循环之间(c2c)的涨落、有限的耐久性以及在1t结构的阵列中面临的严重写串扰问题。当fefet扩展到多级存储，也即在一个单元中存储多位信息时，这些可靠性问题会变得更加严重。以...
【技术保护点】
1.一种FeFET阵列的写入方法，FeFET阵列由FeFET存储单元、字线、位线和源线组成1T结构的多级存储阵列，同一行的FeFET存储单元共享相同的字线，同一列的FeFET存储单元共享相同的位线和源线，其特征在于，在FeFET阵列的写入过程中，采用自补偿波形的正负电压脉冲交替的脉冲序列进行写入，对FeFET存储单元写后的状态进行读验证，当发现写入错误时，启动错误校正程序进行修正，以达到目标状态，若错误校正程序失败，则启动耐久恢复程序，恢复FeFET存储器件性能；方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的FeFET阵列的写入方法，其特征在于，所述步骤1)对...
【技术特征摘要】
1.一种fefet阵列的写入方法，fefet阵列由fefet存储单元、字线、位线和源线组成1t结构的多级存储阵列，同一行的fefet存储单元共享相同的字线，同一列的fefet存储单元共享相同的位线和源线，其特征在于，在fefet阵列的写入过程中，采用自补偿波形的正负电压脉冲交替的脉冲序列进行写入，对fefet存储单元写后的状态进行读验证，当发现写入错误时，启动错误校正程序进行修正，以达到目标状态，若错误校正程序失败，则启动耐久恢复程序，恢复fefet存储器件性能；方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的fefet阵列的写入方法，其特征在于，所述步骤1)对fefet阵列初始化，方法为：首先对整个阵列进行擦除，使每个fefet存储单元置于最低状态，随后选中阵列的所有字线，在字线上施加中间存储状态对应的编程脉冲，同时所有的位线和源线接地，从而使阵列中所有fefet存储单元置于中间存储状态，完成初始化。
3.如权利要求1所述的fefet阵列的写入方法，其特征在于，所述步骤2)中对fefet阵列的一行进行写入时，按照所述高低不同的存储状态的顺序依次写入，每个存储状态的写入步骤包括：
4.如权利要求1所述的fefet阵列的写入方法，其特征在于，所述步骤2)中对fefet阵列进行逐行写入时，分别选中每一行对应的字线，对该行进行写入。
5.如权利要求1所述的fefet阵列的写入方法，其特征在于，所述步骤2)中对fefet阵列的一行进行写入时，对该行中存储相同存储状态的fefet存储单元同时写入：在选中的行对应的字线上施加相应的写入脉冲，需要写入的存储单元对应的位线和源线接地，同时，该...
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