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一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：形成基底；采用第一刻蚀深度，对所述基底进行通孔刻蚀，以得到盲孔；采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，以得到凹坑和通孔，其中，所述通孔位于所述凹坑内；在所述基底上形成隔...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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